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NXP Semiconductors
PESDxS2UQ series
Double ESD protection diodes in SOT663 package
Table 8. Characteristics …continued
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
V CL
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
clamping voltage
[1][2]
-
-
-
-
-
200
150
38
32
23
275
215
100
70
50
pF
pF
pF
pF
pF
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
I PP = 1 A
I PP = 15 A
I PP = 1 A
I PP = 15 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 5 A
I PP = 1 A
I PP = 3 A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
8
20
9
20
19
35
23
40
36
70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
r dif
differential resistance
PESD3V3S2UQ
PESD5V0S2UQ
PESD12VS2UQ
PESD15VS2UQ
PESD24VS2UQ
I R = 5 mA
I R = 5 mA
I R = 5 mA
I R = 1 mA
I R = 0.5 mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
15
15
225
300
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
PESDXS2UQ_SER_4
[1]
[2]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured across either pins 1 and 3 or pins 2 and 3.
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 26 January 2010
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